money Como sabemos, los últimos procesadores de iPhone y Mac se fabrican utilizando un 3 nanómetros (tercera generación) – y se espera que Apple adopte el proceso de fabricación 2nmmás avanzado, para múltiples dispositivos en 2026, habiendo asegurado ya una parte importante de la capacidad de producción inicial de N2 de TSMC.
EL Samsungsin embargo, se anticipó a Apple y presentó oficialmente el Exynos 2600el primer SoC 1Sistema en un chipo sistema en un chip. Tecnología de 2 nanómetros para dispositivos móviles (como la futura línea “Galaxy S26”) del mundo.
El chip utiliza los últimos núcleos de ARM y admite nuevas instrucciones para mejorar la velocidad de la CPU. 2unidad central de procesamientoo unidad central de procesamiento. y realizar tareas de IA en el dispositivo. Samsung afirma aumentar hasta un 39% el rendimiento de la CPU y una NPU 3Unidad de procesamiento neuronalo unidad de procesamiento neuronal. 113% más rápido.
La GPU 4Unidad de procesamiento de gráficoso unidad de procesamiento de gráficos. se basa en el último diseño de Xclipse, que según Samsung duplica el rendimiento de gráficos anterior y aumenta el rendimiento de vídeo. trazado de rayos hasta en un 50%.
Construido sobre subsistemas informáticos Arm, que utilizan C1-Ultra, C1-Pro y SME2, ofrece IA de alto rendimiento y baja latencia, ampliando las posibilidades en todos los dispositivos.
¡Felicitaciones, @SamsungDSGlobal! 👏 okt.to/MHmn9b
Para solucionar problemas de chips Exynos anteriores, como sobrecalentamiento y estrangulamiento —, Samsung ha introducido un nuevo enfoque térmico llamado Bloque de ruta de calor (HPB), que utiliza un material de alta constante dieléctrica (High-k) para mejorar la disipación de calor, lo que permite que el último procesador mantenga altos niveles de rendimiento incluso bajo cargas de trabajo continuas.
Vale la pena señalar que, en comparación con los chips actuales de 3 nm, el proceso de 2 nm de TSMC promete hasta un 15 % más de rendimiento con el mismo nivel de consumo de energía, o entre un 25 % y un 30 % menos de consumo de energía con el mismo nivel de rendimiento. El proceso también logra aproximadamente un 15% más de densidad de transistores, lo que permite integrar más funciones en el mismo espacio físico.
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