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A Samsung planea comenzar la producción de su semiconductor de 2 nm en 2025, revela el Negocios Corea. Actualmente el fabricante avanza en la creación de este chip, que contará con la arquitectura Gate All Around (GAA) de tercera generación, que promete un rendimiento muy mejorado.
La nueva generación de arquitectura GAA promete mejorar aún más el semiconductor de 2 nm de Samsung. oh SamMobile Destaca que se espera que esta nueva característica aumente el rendimiento del chip hasta en un 50%, con una reducción del 50% en su tamaño, en comparación con el chip de 3 nm. Además, la nueva generación será más eficiente.
Samsung presentará los detalles de esta innovación durante el Simposio VLSI 2024, que se llevará a cabo del 16 al 20 de junio en Hawaii, Estados Unidos. El evento es uno de los principales encuentros mundiales sobre semiconductores.
Samsung quiere recuperar a sus clientes
El semiconductor de 3 nm fue el primero en presentar la arquitectura GAA. Pero, incluso con un área un 16% más pequeña, un rendimiento un 23% mayor y un 45% más de eficiencia en comparación con los chips de 5 nm, el mercado no estaba interesado en los chips surcoreanos.
El desinterés por el proceso de 3 nm de la compañía surcoreana fue tal que System LSI, que forma parte del grupo Samsung, eligió el nodo de 4 nm para producir el Exnos 2400.
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El principal problema de Samsung con sus semiconductores es su bajo rendimiento. Según la información, los chips de primera generación del fabricante tienen un rendimiento de sólo el 60%. Lo que significa que poco más de la mitad de las obleas semiconductoras se utilizan para producir conjuntos de chips.
Con la segunda generación de semiconductores de 3 nm, Samsung parece estar centrado en mejorar esto. En los chips de 2 nm, la compañía surcoreana pretende “compensar” esta falta de rendimiento ofreciendo descuentos a sus clientes.
Fuente: Negocios Corea A través de: Adrenalina, SamMobile
