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El momento está llegando: se espera que el Chip Exynos 2700 desde Samsung utilizar el proceso SF2P y adoptar una arquitectura de lado a lado (SBS), reposicionando el memoria RAM al lado del sistema en el chip (SoC) a través del embalaje a nivel de oblea en abanico (FOWLP).
Eso cambiar de disposicióncombinado con un disipador de calor más refinado, proyecta un saltar del 30% al 40% en el ancho de banda de la memoria.
| Aspecto técnico | Descripción de la mejora |
|---|---|
| Proceso de fabricación del Exynos 2700 | SF2P, versión de próxima generación del proceso Gate-All-Around (GAA) de 2 nanómetros |
| Rendimiento bruto frente al nodo SF2 anterior | 12% de aumento |
| Consumo total de energía en relación con el nodo SF2 anterior | 25% de reducción |
| Arquitectura Exynos 2700 | Lado a lado (SBS), con RAM colocada junto al SoC a través de Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) |
| Ancho de banda de memoria | Salto estimado del 30% al 40% |
| Disipador de calor | Bloque de ruta de calor (HPB) a base de cobre, reposicionado directamente sobre el SoC y la RAM |
| Estabilidad térmica | Mejoras materiales en comparación con Exynos 2600; La ventaja térmica existente sobre el Snapdragon 8 Elite Gen 5 tiende a crecer |
| Arquitectura de transistores | 3D Gate-All-Around (GAA) con puerta que encierra completamente el canal de nanohojas apiladas verticalmente, mejorando el control electrostático y reduciendo el voltaje umbral |
¿Qué cambia la arquitectura lado a lado para la gestión térmica del Exynos 2700?
EL Exynos 2600 ya había dado un salto generacional incorporando un innovador disipador llamado Heat Path Block (HPB), directamente dentro del chip.
La solución en cobre mejoró considerablemente el estabilidad térmico del componente, pero el diseño aún seguía un modelo apilados:a RAM permaneció acerca de entoncesC y el HPB descansado en el RAM. Esta configuración, aunque eficiente, retuvo el calor entre las capas del sándwich.
Nodo Exynos 2700, Planes Samsung reposicionar la RAM al lado del SoC e integrar ambos a nivel de oblea usando tecnología FOWLP. Con el HPB sentado directamente en el SoC y el RAMel calor ya no queda atrapado entre los componentes, lo que resulta en mejoras materiales en estabilidad térmico del chip.
Cómo el empaquetado FOWLP aumenta el ancho de banda de la memoria
Colocar la RAM al lado del SoC acorta las interconexiones eléctricas, reduciendo la distancia física que los datos deben recorrer. Esta ganancia se traduce en una aumento estimado de 30% a 40% en el ancho de banda de la memoria, al tiempo que aumenta la eficiencia energética de la matriz.
EL Samsung fabricará el Exynos 2700 nodo proceso SF2P. La litografía es la versión de última generación del proceso Gate-All-Around (GAA) dy 2 nanómetros ya utilizado por Exynos 2600. En cuanto a la Nodo SF2 de generación anteriorel SF2P diseñar un 12% de aumento en un rendimiento puro y un 25% de reducción nodo consumo total de energía.
Transistor GAA y control electrostático en litografías de 2 nanómetros
EL Puerta completa es un Arquitectura de transistores 3D en el que la puerta rodea completamente el canal, compuesto por nanohojas apiladas verticalmente, en los cuatro lados.
Este enfoque mejora la control electrostático y reduce el voltaje umbralpermitiendo una mayor densidad de rendimiento sin ampliar el consumo de energía.
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Posicionamiento competitivo del Exynos 2600 y expectativas para el Exynos 2700
En análisis técnico de los datos disponiblesel Exynos 2600 ya proporciona una mayor estabilidad térmica que el Snapdragon 8 Elite Generación 5 desde Qualcomm.
Con la transición a arquitectura SBSel embalaje de aves y el disipador de calor HPB reposicionadoel liderazgo térmico que el Samsung presenta sobre el competidor tiende a aumentar con la llegada del siguiente chip.
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Fuente: WCCFtech
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